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Si4435DDY
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
50
40
30
20
V GS = 10 V thr u 5 V
V GS = 4 V
1.0
0. 8
0.6
0.4
T C = - 55 °C
T C = 25 °C
10
0
V GS = 3 V
0.2
0.0
T C = 125 °C
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
0.05
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
Output Characteristics
2400
V GS - Gate-to-So u rce V oltage ( V )
Transfer Characteristics
0.04
1 8 00
0.03
V GS = 4.5 V
V GS = 10 V
1200
C iss
0.02
600
0.01
0
0
C rss
C oss
0
10
20
30
40
50
0
6
12
1 8
24
30
10
8
I D - Drain C u rrent (A)
On-Resistance vs. Drain Current
I D = 9.1 A
1. 8
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
Capacitance
I D = 9.1 A
V GS = 10 V
1.5
V DS = 15 V
6
V DS = 7.5 V
V DS = 22.5 V
1.2
4
0.9
2
V GS = 4.5 V
0
0.6
0
9
1 8
27
36
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
Q g - Total Gate Charge (nC)
Gate Charge
Document Number: 68841
S09-0863-Rev. C, 18-May-09
T J - J u nction Temperat u re (°C)
On-Resistance vs. Junction Temperature
www.vishay.com
3
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